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半导体物理学(第4版) 平装 – 2010年1月1日

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基本信息

  • 出版社: 国防工业出版社; 第1版 (2010年1月1日)
  • 丛书名: 高等学校工科电子类规划教材
  • 平装: 406页
  • 语种: 简体中文
  • 开本: 16
  • ISBN: 7118065625, 9787118065626
  • 条形码: 9787118065626
  • 商品尺寸: 25.6 x 18.2 x 1.8 cm
  • 商品重量: 640 g
  • 品牌: 国防工业出版社
  • ASIN: B003N63SMK
  • 用户评分: 平均 4.0 星 15 条商品评论
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商品描述

编辑推荐

《半导体物理学(第4版)》:高等学校工科电子类规划教材

目录

主要参数符号表
第1章 半导体中的电子状态
1.1 半导体的晶格结构和结合性质
1.2 半导体中的电子状态和能带
1.3 半导体中电子的运动 有效质量
1.4 本征半导体的导电机构 空穴
1.5 回旋共振
1.6 硅和锗的能带结构
1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构
1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能带结构
习题
参考文献

第2章 半导体中杂质和缺陷能级
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级
2.3 缺陷、位错能级
习题
参考文献

第3章 半导体中载流子的统计分布
3.1 状态密度
3.2 费米能级和载流子的统计分布
3.3 本征半导体的载流子浓度
3.4 杂质半导体的载流子浓度
3.5 一般情况下的载流子统计分布
3.6 简并半导体
补充材料:电子占据杂质能级的概率
习题
参考文献

第4章 半导体的导电性
4.1 载流子的漂移运动 迁移率
4.2 载流子的散射
4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系
4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
4.5 玻耳兹曼方程 电导率的统计理论
4.6 强电场下的效应 热载流子
4.7 多能谷散射 耿氏效应
习题
参考文献

第5章 非平衡载流子
5.1 非平衡载流子的注入与复合
5.2 非平衡载流子的寿命
5.3 准费米能级
5.4 复合理论
5.5 陷阱效应
5.6 载流子的扩散运动
5.7 载流子的漂移运动 爱因斯坦关系式
5.8 连续性方程式
习题
参考文献

第6章 p-n结
6.1 p-n结及其能带图
6.2 p-n结电流电压特性
6.3 p-n结电容
6.4 p-n结击穿
6.5 p-n结隧道效应
习题
参考文献

第7章 金属和半导体的接触
7.1 金属半导体接触及其能级图
7.2 金属半导体接触整流理论
7.3 少数载流子的注入和欧姆接触
习题
参考文献

第8章 半导体表面与MIS结构
8.1 表面态
8.2 表面电场效应
8.3 MIS结构的电容-电压特性
8.4 硅-二氧化硅系统的性质
8.5 表面电导及迁移率
8.6 表面电场对p-n结特性的影响
习题
参考文献

第9章 异质结
9.1 异质结及其能带图
9.2 异质结的电流输运机构
9.3 异质结在器件中的应用
9.4 半导体超晶格
习题
参考文献

第10章 半导体的光学性质和光电与发光现象
10.1 半导体的光学常数
10.2 半导体的光吸收
10.3 半导体的光电导
10.4 半导体的光生伏特效应
10.5半导体发光
10.6半导体激光
习题
参考文献

第11章 半导体的热电性质
11.1 热电效应的一般描述
11.2 半导体的温差电动势率
11.3 半导体的珀耳贴效应
11.4 半导体的汤姆孙效应
11.5 半导体的热导率
11.6 半导体热电效应的应用
习题
参考文献

第12章 半导体磁和压阻效应
12.1 霍耳效应
12.2 磁阻效应
12.3 磁光效应
12.4 量子化霍耳效应
12.5 热磁效应
12.6 光磁电效应
12.7 压阻效应
12.8 声波和载流子的相互作用
习题
参考文献

第13章 非晶态半导体
13.1 非晶态半导体的结构
13.2 非晶态半导体中的电子态
13.3 非晶态半导体中的缺陷、隙态与掺杂效应
13.4 非晶态半导体中的电学性质
13.5 非晶态半导体中的光学性质
13.6 α-Si:H的p-n结与金-半接触特性

参考文献
附录
附录1 常用物理常数和能量表达变换表
附表1-1 常用物理常数表
附表1-2 能量表达变换表
附录2 半导体材料物理性质表
附表2-1 Ⅳ族半导体材料的性质
附表2-2 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的性质
附表2-3 Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的性质
附表2-4 Ⅳ-Ⅵ族半导体材料的性质
附表2-5 Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料的性质
参考文献


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